SIRIUSi-HS-8xSTG 八通道高速应变桥与电压数据采集器

01 / 01

产品说明

SIRIUSi-HS-8xSTG 是 SIRIUS High Speed 系列八通道应变桥与电压数据采集器，采用 16-bit SAR ADC，通过 USB 每通道最高同步采样 1 MS/s，适合高速力、应变、压力与电压联合测试。

D-SUB9 输入原生支持电压、全桥、半桥、120 Ω / 350 Ω 四分之一桥、电位计、RTD 与电阻。提供可编程电压和恒流激励，以及 59.88 kΩ / 175 kΩ 双极分流校准。电流测量须使用外部分流器；IEPE、电荷、热电偶和 LVDT 需配套对应 DSI 适配器。

HS-STG 放大器模拟带宽为 1 MHz，≤200 mV 量程为 800 kHz；可选择 100 kHz 五阶 Bessel 模拟抗混叠滤波或旁路。进行频谱分析时须结合采样率选择滤波，避免高频信号混叠。桥路测量要求超过 100 kHz 带宽时，建议采用外部补桥。

本型号为带风扇、USB 接口的 SIRIUSi 隔离型配置。In− 相对通道隔离地须保持在 ±10 V 内；≥10 V 量程不抑制 In− 的直流分量。需要同步计数器时选择 HS-STG+，其他接口与机壳按订货配置确认。

图集为标准 USB Modular 外壳的后视参考图；图中 CAN 为选配接口，前侧信号连接器及扩展端口以订货配置为准

订货号可选规格型号说明操作

SIRIUSI-HS-8XSTG

原生模拟信号电压 / 应变桥 / 电位计 / RTD / 电阻模拟通道数8每通道采样率1 MS/s

8 路应变桥 / 电压输入；1 MS/s 同步采样；16-bit SAR；D-SUB9 接口

询价

规格参数

性能参数

模拟通道数8

每通道采样率1 MS/s

ADC16-bit SAR

模拟抗混叠滤波可旁路；100 kHz 五阶 Bessel

数字低通滤波可旁路；Butterworth 或 Bessel，2 / 4 / 6 / 8 阶，采样率与滤波频率比 2–100

软件 AAF 滤波零相位 FIR；采样率 ≥160 kS/s 时截止频率 80 kHz，较低采样率时为采样率的一半

时基精度典型 5 ppm，最大 20 ppm

增益温漂典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K

增益线性度＜0.02%

放大器模拟带宽1 MHz；量程 ≤200 mV 为 800 kHz（抗混叠滤波旁路时）

直流输入精度（＜10 V 量程）±0.03% 读数 ±0.04% 量程 ±10 μV

直流输入精度（≥10 V 量程）±0.05% 读数 ±0.01% 量程 ±5 mV

交流输入精度（≤1 kHz）±0.03% 读数 ±0.02% 量程

交流输入精度（≤10 kHz）±0.1% 读数 ±0.05% 量程

交流输入精度（≤100 kHz）±2% 读数 ±0.1% 量程

交流输入精度（≤500 kHz）±10% 读数 ±0.5% 量程

平衡后零点精度（＜10 V 量程）±0.002% 量程 ±3 μV

平衡后零点精度（≥10 V 量程）不执行放大器平衡

典型噪声底（±50 V 档）1 MS/s：−87 dB；200 kS/s：−88 dB；20 kS/s：＜−100 dB

典型噪声底（±5 V 档）1 MS/s：−88 dB；200 kS/s：−88 dB；20 kS/s：＜−100 dB

典型噪声底（±200 mV 档）1 MS/s：−81 dB；200 kS/s：−85 dB；20 kS/s：−94 dB

典型噪声底（±20 mV 档）1 MS/s：−63 dB；200 kS/s：−74 dB；20 kS/s：−84 dB

典型共模抑制（±50 V 档）50 Hz：70 dB；400 Hz：70 dB；10 kHz：55 dB

典型共模抑制（±5 V 档）50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；10 kHz：70 dB

典型共模抑制（±200 mV 档）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB

典型共模抑制（±20 mV 档）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB

零点温漂典型 0.3 μV/K + 15 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 40 ppm量程/K

通道间相位差0.02° × 输入频率[kHz] + 0.1°（5 V 量程）

通道串扰＜10 V 量程：−120 dB；≥10 V：−95 dB（10 kHz）

桥路精度（2 mV/V，1 V 激励）0.063% 读数 + 18 μV/V

桥路精度（20 mV/V，1 V 激励）0.19% 读数 + 18 μV/V

桥路精度（200 mV/V，1 V 激励）0.22% 读数 + 90 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，1 V 激励）0.22% 读数 + 410 μV/V

桥路精度（2 mV/V，2.5 V 激励）0.052% 读数 + 7.2 μV/V

桥路精度（20 mV/V，2.5 V 激励）0.084% 读数 + 20 μV/V

桥路精度（200 mV/V，2.5 V 激励）0.09% 读数 + 170 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，2.5 V 激励）0.091% 读数 + 810 μV/V

桥路精度（2 mV/V，5 V 激励）0.049% 读数 + 3.6 μV/V

桥路精度（20 mV/V，5 V 激励）0.071% 读数 + 10 μV/V

桥路精度（200 mV/V，5 V 激励）0.074% 读数 + 82 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，5 V 激励）0.074% 读数 + 410 μV/V

桥路精度（2 mV/V，10 V 激励）0.049% 读数 + 1.8 μV/V

桥路精度（20 mV/V，10 V 激励）0.058% 读数 + 9 μV/V

桥路精度（200 mV/V，10 V 激励）0.059% 读数 + 81 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，10 V 激励）0.066% 读数 + 210 μV/V

桥路精度（2 mV/V，15 V 激励）0.047% 读数 + 1.8 μV/V

桥路精度（20 mV/V，15 V 激励）0.051% 读数 + 12 μV/V

桥路精度（200 mV/V，15 V 激励）0.049% 读数 + 140 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，15 V 激励）0.064% 读数 + 140 μV/V

桥路精度（2 mV/V，20 V 激励）0.048% 读数 + 1.3 μV/V

桥路精度（20 mV/V，20 V 激励）0.052% 读数 + 8.5 μV/V

桥路精度（200 mV/V，20 V 激励）0.05% 读数 + 110 μV/V

桥路精度（1000 mV/V，20 V 激励）0.063% 读数 + 110 μV/V

电气参数

原生模拟信号电压 / 应变桥 / 电位计 / RTD / 电阻

供电范围9–36 V DC

系统功耗SIRIUS Modular 系列参考值 15–35 W，随放大器配置与激励负载变化

隔离电压1000 V，通道间及通道对地隔离

电压量程±50、±20、±10、±5、±2、±1、±0.4、±0.2、±0.1、±0.04、±0.02 V

输入耦合DC；AC 1 Hz，3 Hz、10 Hz 由软件选择

输入阻抗＜10 V 量程：10 MΩ；≥10 V：INx 对 GND 为 1 MΩ

最大共模电压隔离型：±500 V

输入接线条件In− 相对 GNDiso 在 ±10 V 内；≥10 V 量程不抑制 In− 直流值

过压保护＜10 V 量程：100 V 连续、200 Vpeak 10 ms；≥10 V：300 V 连续

桥路连接全桥 / 半桥 / 四分之一桥，3 线或 4 线

桥路量程2–1000 mV/V，软件可编程

内部补桥半桥；120 Ω 与 350 Ω 四分之一桥

补桥精度0.05%；温度系数 5 ppm/K

内部校准分流电阻59.88 kΩ、175 kΩ，双极，可接 +Exc 或 −Exc

分流电阻精度典型 0.05%；温度系数 10 ppm/K

传感器最大电阻全桥与半桥：5 kΩ

传感器平衡范围量程的 220%；输入量程 ≥5 V 时为量程的 70%

传感器电压激励0、1、2.5、5、10、15、20 V DC；16-bit DAC 可编程

电压激励精度±0.05% ±2 mV

电压激励温漂±10 ppm/K ±100 μV/K

电压激励电流及功率限制100 mA，最大 800 mW

电压激励负载稳定性0–100% 负载变化时＜0.01%

激励线缆调节率电阻变化 20 Ω 时＜0.005%（120 Ω 负载）

激励噪声＜200 μVrms（10 V 激励、350 Ω 负载、10 kHz 带宽）

感测阻抗Sense 对 Exc：100 kΩ；Sense 对 GND：100 MΩ

传感器恒流激励0.1、1、2、5、10、20、60 mA DC；16-bit DAC 可编程

恒流顺从电压与功率20 V，最大 300 mW

恒流输出阻抗＞1 MΩ

激励保护持续对地短路保护

扩展信号IEPE：DSI-ACC；电荷：DSI-CHG；热电偶：DSI-TH；LVDT：DSI-LVDT；电流：外部分流器或相应 DSI

单通道功耗2 W/ch

高带宽桥路接线桥路测量要求带宽 ≥100 kHz 时，建议采用外部补桥

通信与接口

通信接口USB 2.0

数据连接器USB Mini

同步连接器2 × 4 针 LEMO

供电连接器2 针 LEMO，电源输入与输出

同步延时模块片之间 50 ns

同步线缆长度Master/Slave 最长 100 m；IRIG 最长 200 m

计数器输入不含；HS-STG+ 为另选配置

扩展接口选件CAN / CAN-FD 与模拟输出须按订货配置选择

信号连接器8 × D-SUB9 母座

TEDS 支持标准 TEDS 及 DSI 适配器

机械与环境

工作温度−10 至 +50 °C

储存温度−40 至 +85 °C

环境湿度5–95% RH，无凝露（60 °C）

防护等级IP20，标准带风扇 Modular 外壳

外形尺寸266 × 149 × 55 mm；加高外壳为 266 × 149 × 69 mm

重量Modular 外壳约 1.5–2 kg，取决于放大器组合

冲击与振动EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D

资料下载

产品技术资料

用于确认量程、外形尺寸与基本性能

SIRIUS HD / HS 产品彩页与选型表（英文，目录摘页）产品彩页

安装与使用文档

涵盖安装、接线与使用要点

SIRIUSi-HS-8xSTG 技术参考手册摘页（英文，V25-1）使用手册