SIRIUSi-HS-8xLV 八通道高速电压与全桥数据采集器

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产品说明

SIRIUSi-HS-8xLV 是 SIRIUS High Speed 系列八通道电压与全桥数据采集器，采用 16-bit SAR ADC，通过 USB 每通道最高同步采样 1 MS/s，适合快速电压变化、桥式传感器及电流钳信号测试。

本页为 8 路 D-SUB9 接口配置，支持电压与全桥输入。电流测量须使用外部分流器或相应 DSI 适配器；IEPE、RTD、热电偶、LVDT 与电荷信号分别需要对应 DSI 适配器。传感器电压激励可设置为单极 0–24 V 或双极 2–30 V。

HS-LV 放大器模拟带宽为 1 MHz，≤200 mV 量程为 800 kHz；可选择 100 kHz 五阶 Bessel 模拟抗混叠滤波或旁路。滤波旁路时需结合采样率和被测信号频率评估混叠。

本型号为 USB 接口的 SIRIUSi 隔离型配置。In− 相对通道隔离地须保持在 ±10 V 内；≥10 V 量程不抑制 In− 的直流分量。BNC、Banana、计数器及其他机壳版本需分别选型。

图集为标准 USB Modular 外壳的后视参考图；图中 CAN 为选配接口，前侧信号连接器及扩展端口以订货配置为准

订货号可选规格型号说明操作

SIRIUSI-HS-8XLV

原生模拟信号电压 / 全桥模拟通道数8每通道采样率1 MS/s

8 路电压 / 全桥输入；1 MS/s 同步采样；16-bit SAR；D-SUB9 接口

询价

规格参数

性能参数

模拟通道数8

每通道采样率1 MS/s

ADC16-bit SAR

模拟抗混叠滤波可旁路；100 kHz 五阶 Bessel

数字低通滤波可旁路；Butterworth 或 Bessel，2 / 4 / 6 / 8 阶，采样率与滤波频率比 2–100

软件 AAF 滤波零相位 FIR；采样率 ≥160 kS/s 时截止频率 80 kHz，较低采样率时为采样率的一半

时基精度典型 5 ppm，最大 20 ppm

增益温漂典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K

增益线性度＜0.02%

放大器模拟带宽1 MHz；量程 ≤200 mV 为 800 kHz（抗混叠滤波旁路时）

直流输入精度（＜10 V 量程）±0.03% 读数 ±0.02% 量程 ±100 μV

直流输入精度（≥10 V 量程）±0.03% 读数 ±0.02% 量程 ±2 mV

交流输入精度（≤1 kHz）±0.03% 读数 ±0.02% 量程

交流输入精度（≤10 kHz）±0.1% 读数 ±0.05% 量程

交流输入精度（≤100 kHz）±2% 读数 ±0.1% 量程

交流输入精度（≤1 MHz）±5% 读数 ±0.5% 量程

平衡后零点精度（＜10 V 量程）±0.002% 量程 ±3 μV

平衡后零点精度（≥10 V 量程）±0.005% 量程

典型噪声底（±100 V 档）1 MS/s：−85 dB；200 kS/s：−88 dB；20 kS/s：＜−100 dB

典型噪声底（±5 V 档）1 MS/s：−86 dB；200 kS/s：−88 dB；20 kS/s：＜−100 dB

典型噪声底（±500 mV 档）1 MS/s：−78 dB；200 kS/s：−87 dB；20 kS/s：−95 dB

典型噪声底（±50 mV 档）1 MS/s：−59 dB；200 kS/s：−76 dB；20 kS/s：−86 dB

典型共模抑制（±100 V 档）50 Hz：70 dB；400 Hz：70 dB；10 kHz：55 dB

典型共模抑制（±5 V 档）50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；10 kHz：70 dB

典型共模抑制（±500 mV 档）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB

典型共模抑制（±50 mV 档）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB

零点温漂典型 0.3 μV/K + 5 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 10 ppm量程/K

通道间相位差0.02° × 输入频率[kHz] + 0.1°（5 V 量程）

通道串扰＜10 V 量程：−120 dB；≥10 V：−95 dB（10 kHz）

电气参数

原生模拟信号电压 / 全桥

供电范围9–36 V DC

系统功耗SIRIUS Modular 系列参考值 15–35 W，随放大器配置与激励负载变化

隔离电压1000 V，通道间及通道对地隔离

电压量程±100、±50、±20、±10、±5、±2、±1、±0.5、±0.2、±0.1、±0.05 V

输入耦合DC；AC 1 Hz，3 Hz、10 Hz 由软件选择

输入阻抗＜10 V 量程：10 MΩ；≥10 V：INx 对 GND 为 1 MΩ，并联 110 pF

最大共模电压隔离型：±500 V

输入接线条件In− 相对 GNDiso 在 ±10 V 内；≥10 V 量程不抑制 In− 直流值

过压保护＜10 V 量程：100 V 连续、200 Vpeak 10 ms；≥10 V：300 V 连续

桥路连接全桥

桥路量程2–1000 mV/V，软件可编程

传感器电压激励单极 0–24 V；双极 2–30 V，16-bit DAC 可编程

电压激励精度±0.1% ±5 mV

激励温漂±50 ppm/K ±100 μV/K

激励负载稳定性10–90% 双极负载变化时＜0.01%

激励电流及功率限制200 mA；每通道最大 2 W；每片总激励最大 12 W

激励保护持续对地短路保护

传感器零点调节输入短接与传感器零点调整可由软件选择

扩展信号IEPE：DSI-ACC；RTD：DSI-RTD；热电偶：DSI-TH；LVDT：DSI-LVDT；电荷：DSI-CHG；电流：外部分流器或相应 DSI

单通道功耗1.2 W/ch

通信与接口

通信接口USB 2.0

数据连接器USB Mini

同步连接器2 × 4 针 LEMO

供电连接器2 针 LEMO，电源输入与输出

同步延时模块片之间 50 ns

同步线缆长度Master/Slave 最长 100 m；IRIG 最长 200 m

计数器输入不含；HS-LV+ 为另选配置

扩展接口选件CAN / CAN-FD 与模拟输出须按订货配置选择

信号连接器8 × D-SUB9 母座

TEDS 支持标准 TEDS 及 DSI 适配器

机械与环境

工作温度−10 至 +50 °C

储存温度−40 至 +85 °C

环境湿度5–95% RH，无凝露（60 °C）

防护等级IP20，标准带风扇 Modular 外壳

外形尺寸266 × 149 × 55 mm；加高外壳为 266 × 149 × 69 mm

重量Modular 外壳约 1.5–2 kg，取决于放大器组合

冲击与振动EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D

资料下载

产品技术资料

用于确认量程、外形尺寸与基本性能

SIRIUS HD / HS 产品彩页与选型表（英文，目录摘页）产品彩页

安装与使用文档

涵盖安装、接线与使用要点

SIRIUSi-HS-8xLV 技术参考手册摘页（英文，V25-1）使用手册