SIRIUSi-8xLV 八通道隔离电压与全桥数据采集器

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SIRIUSi-8xLV 八通道隔离电压与全桥数据采集器

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产品说明

SIRIUSi-8xLV 是 SIRIUS Modular 系列的八通道隔离 USB 数据采集器，支持电压与全桥输入，采用 24-bit 双核 ADC，每通道最高同步采样率为 200 kS/s。

标准 D-SUB9 配置提供 ±200 V、±10 V、±1 V、±100 mV 四档量程和可编程传感器激励。电流测量需外部分流器或对应 DSI 适配器，IEPE、RTD、热电偶、LVDT及电荷信号需相应 DSI 适配器。

本页为标准隔离 USB、D-SUB9 配置。BNC、Banana 连接器及 LV+ 计数器配置按具体订货型号分别选型；标准 LV 的 D-SUB9 Pin 5 是数字状态输入，不等同于 LV+ 的独立计数器。

订货号可选规格型号说明操作

SIRIUSI-8XLV

原生模拟信号电压 / 全桥每通道采样率200 kS/s通道数8

8 路电压 / 全桥输入，200 kS/s，24-bit 双核 ADC；D-SUB9 接口，隔离 USB 配置

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规格参数

性能参数

通道数8

每通道采样率200 kS/s

原生模拟信号电压 / 全桥

ADC24-bit 双核 Delta-Sigma，抗混叠滤波器

带宽70 kHz（DualCore 系列选型表）

增益精度±0.05% 读数

零点精度±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 档分别为 ±40 / ±2 / ±0.2 / ±0.1 mV；双核低量程分别为 ±20 / ±1 / ±0.2 / ±0.1 mV

平衡后零点精度±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 档分别为 2 / 0.1 / 0.02 / 0.01 mV

典型噪声底±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 档分别为 −109 / −109 / −109 / −97 dB；双核低量程分别为 −118 / −126 / −116 / −97 dB（10 kS/s）

典型共模抑制比±200 V 档：70 / 70 / 60 / 55 dB；±10 V 档：95 / 95 / 89 / 84 dB；±1 V 档：105 / 105 / 100 / 95 dB；±100 mV 档：115 / 112 / 107 / 102 dB（50 Hz / 400 Hz / 1 kHz / 10 kHz）

增益温漂典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K

零点温漂典型 0.3 μV/K + 5 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 10 ppm量程/K

增益线性度＜0.02%

通道间相位失配0.02° × 输入频率[kHz] + 0.1°（200 kS/s，10 V 档）

时基精度典型 5 ppm，最大 20 ppm

双核数字滤波带宽（−3 dB）0.1–51.2 kS/s：DC 至 0.494 fs；51.2–102.4 kS/s：DC 至 0.49 fs；102.4–204.8 kS/s：DC 至 0.38 fs

无混叠带宽上述三个采样率区间分别为 DC 至 0.42 fs、0.32 fs、0.22 fs

混叠抑制上述三个采样率区间分别为 −95 dB、−92 dB、−97 dB

ADC 延时上述三个采样率区间分别为 12/fs、9/fs、5/fs

过采样倍数上述三个采样率区间分别为 256、128、64

电气参数

电压量程±200 V、±10 V、±1 V、±100 mV

双核低量程对应 ±10 V、±500 mV、±50 mV、±5 mV

输入耦合DC；AC 1 Hz，软件可选 3 Hz、10 Hz

AC 耦合条件In− 相对隔离地须在 ±10 V 内；量程＞10 V 时，In− 的直流分量不会被抑制

输入阻抗200 V 档为 1 MΩ；其他量程 In+ 或 In− 对 GND 为 10 MΩ

隔离通道间及对地隔离；同一测量模块内部模拟输入、供电与数字信号共地

隔离电压1000 V（DualCore 系列选型表）

最大共模电压±500 V（隔离版本）

过压保护200 V 档为 300 V；其他量程为 100 V，250 Vpeak（10 ms）

传感器激励单极性 0–24 V；双极性 2–30 V，16-bit DAC 可编程

预设激励电压单极性：1、2.5、5、10、12、15、24 V DC；双极性：2.5、5、10、12、15、24、30 V DC

激励精度±0.1% ±5 mV

激励温漂±50 ppm/K ±100 μV/K

激励负载稳定度双极性，10% 至 90% 负载时＜0.01%

激励限流200 mA；每通道最大 2 W，整台 slice 最大 12 W

激励保护持续对地短路保护

桥路连接全桥；半桥与四分之一桥须另选相应输入放大器

桥路量程10 V 激励时 2–1000 mV/V，双核可编程

输入平衡输入短路及传感器零点调整可在软件选择

扩展信号IEPE、RTD、热电偶、LVDT、电荷等需对应 DSI 适配器；电流需外部分流器或对应 DSI 适配器

供电范围9–36 V DC

系列典型功耗15–35 W，随放大器组合变化

LV 放大器功耗1.2 W/通道（系列选型表；不含外部传感器激励预算）

通信与接口

通信接口USB

信号连接器8 × D-SUB9 母座

计数器输入无；独立计数器接口属于 LV+ 配置

数字状态输入D-SUB9 的 Pin 5 为 DI Status，可用于电流钳状态监测

TEDS 支持标准 TEDS 及 DSI 适配器

USB 连接器USB Mini；数据传输至电脑或 SBOX

同步接口2 × 4 针 LEMO；模块间同步延时 50 ns

同步线缆长度Master/Slave 最长 100 m；IRIG 最长 200 m

供电连接器Power In 为 2 针 LEMO 公座，Power Out 为 2 针 LEMO 母座

机械与环境

工作温度−10 至 +50 °C（标准带风扇模块）

储存温度−40 至 +85 °C

环境湿度5% 至 95% RH，无凝露（60 °C）

防护等级IP20（标准模块）

外形尺寸266 × 149 × 55 mm（标准外壳；扩展外壳高度 69 mm）

重量Modular 系列约 1.5–2 kg，随放大器组合变化

冲击与振动标准EN 60068-2-6:2008、EN 60721-3-2:1997 Class 2M2、EN 60068-2-27:2009、MIL-STD-810D（系列通用规格）

资料下载

产品技术资料

用于确认量程、外形尺寸与基本性能

SIRIUS Modular 产品彩页与放大器选型表（英文）产品彩页

安装与使用文档

涵盖安装、接线与使用要点

SIRIUSi-8xLV 技术参考手册摘页（英文，V25-1）使用手册