电压量程±100 V、±10 V、±1 V、±100 mV
输入耦合DC；AC 0.15 Hz；1、3、5、10、20 Hz 由软件选择
输入阻抗（±100 V 档）IN+ 与 IN− 之间 2 MΩ
输入阻抗（±10 V / ±1 V / ±100 mV 档）IN+ 与 IN− 之间 ＞1 GΩ
最大共模电压（±100 V 档）±120 V
最大共模电压（±10 V / ±1 V / ±100 mV 档）±12 V
过压保护（±100 V 档）±200 V，连续
过压保护（±10 V / ±1 V / ±100 mV 档）±100 V 连续；±200 Vpeak，10 ms
内部电流分流量程20 mA、2 mA
内部电流分流电阻47 Ω
电流输入保护典型跳闸电流 Imax ≥31 mA；800 ms 自动重试；钳位电压 33 V
电压激励16-bit DAC 可编程；预置 24 V DC
电压激励精度±0.05% ±2 mV
电压激励温漂±10 ppm/K ±100 μV/K
激励负载稳定性0% 至 100% 负载，＜0.01%
电压激励噪声10 V / 350 Ω：＜150 μVrms @ 10 kS/s
激励线路调节20 Ω 变化：＜0.005% @ 120 Ω 负载
Sense 阻抗对 Exc：100 kΩ；对 GND：＞100 MΩ
电压激励限流100 mA；最大 800 mW
电压激励保护持续对地短路保护
电流激励16-bit DAC 可编程；预置 0.1、1、2、5、10、20、60、100 mA
电流激励精度（0.1–1 mA）±0.2% ±0.5 μA
电流激励精度（>1–20 mA）±0.15% ±2 μA
电流激励精度（>20–100 mA）±0.01% ±40 μA
典型电流激励温漂（0.1–1 mA）5 ppm/K
典型电流激励温漂（>1–20 mA）10 ppm/K
典型电流激励温漂（>20–100 mA）25 ppm/K
电流激励顺从电压24 V；最大 600 mW
电流激励输出阻抗＞100 MΩ
桥路连接全桥、半桥、四分之一桥（3线 / 4线）；恒流四分之一桥（2线 / 4线）
桥路量程2–1000 mV/V，可编程
内部补桥半桥、四分之一桥：120 Ω 与 350 Ω
典型补桥精度0.05%；TCR 2 ppm/K
可编程桥路分流电阻100 kΩ，软件选择
典型桥路分流电阻精度0.05%；TCR 10 ppm/K
输入短路与传感器偏置调节软件选择
IEPE 激励电流16-bit DAC 可编程；预置 2、4、8、12、16、20 mA
IEPE 顺从电压25 V
IEPE 输出阻抗＞100 kΩ
IEPE 传感器检测短路：＜4 V；开路：＞19 V
隔离250 Vpeak 通道对地功能隔离
TEDS 支持标准 TEDS 与 DSI 适配器
供电范围9–57 V DC；主动 PoE++：48–57 V DC
端子供电功耗24 V 典型 / 56 V 最大：电压模式 8.7 / 10.5 W；每通道 0.8 W 负载时 25.5 / 28.2 W
PoE 供电功耗48 V 最小 / 56 V 最大：电压模式 10.5 / 11 W；每通道 0.8 W 负载时 27.7 / 28.6 W
