SIRIUSi-8xSTGM 八通道应变桥与电压数据采集器

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产品说明

SIRIUSi-8xSTGM 是 SIRIUS DualCoreADC 系列八通道隔离 USB 数据采集器,原生支持电压、全桥、半桥、四分之一桥及电位计输入,每通道最高同步采样率为 200 kS/s,采用 24-bit 双核 Delta-Sigma ADC。

本页为标准 DSUB9 的 STGM 配置,无计数器输入。STGM+ 提供额外计数器接口,需要转速或编码器同步测量时应选择相应配置。

电流测量须外接分流器或对应 DSI 适配器;IEPE、热电偶、RTD、LVDT 和电荷信号需要相应适配器。DSUB9 可按接线说明匹配 DSI 适配器。

标准 USB 配置需要独立的供电和同步连接。模块可叠加组成同步多通道系统;USB 与 EtherCAT 版本的采样能力和接口不同,选型时按完整订货号确认。

图库后视图为 USB Modular 共用外壳接口参考,CAN 为选配,接口以实际订货配置为准

订货号可选规格型号说明操作
SIRIUSI-8XSTGM
原生模拟信号电压 / 应变桥 / 电位计每通道同步采样率200 kS/s通道数8

8 路电压 / 应变桥输入;200 kS/s;DSUB9 接口

规格参数

性能参数

通道数8
每通道同步采样率200 kS/s
原生模拟信号电压 / 应变桥 / 电位计
数字分辨率24-bit
ADC 类型双核 Delta-Sigma ADC,抗混叠滤波器
带宽70 kHz
ADC 数字滤波(0.1 至 51.2 kS/s)-3 dB 带宽:DC 至 0.494 fs;-0.1 dB 通带:DC 至 0.47 fs;无混叠带宽:DC 至 0.42 fs
ADC 混叠抑制与延时(0.1 至 51.2 kS/s)混叠抑制 -95 dB;ADC 延时 12 / fs;过采样倍数 256
ADC 数字滤波(51.2 至 102.4 kS/s)-3 dB 带宽:DC 至 0.49 fs;-0.1 dB 通带:DC 至 0.45 fs;无混叠带宽:DC 至 0.32 fs
ADC 混叠抑制与延时(51.2 至 102.4 kS/s)混叠抑制 -92 dB;ADC 延时 9 / fs;过采样倍数 128
ADC 数字滤波(102.4 至 204.8 kS/s)-3 dB 带宽:DC 至 0.38 fs;-0.1 dB 通带:DC 至 0.24 fs;无混叠带宽:DC 至 0.22 fs
ADC 混叠抑制与延时(102.4 至 204.8 kS/s)混叠抑制 -97 dB;ADC 延时 5 / fs;过采样倍数 64
ADC 通带纹波-0.035 至 +0.01 dB
增益精度±0.05% 读数
零点精度(±10 V 档)±5 mV;双核低量程 ±2 mV
平衡后零点精度(±10 V 档)0.2 mV
典型噪声底(±10 V 档)-105 dB;双核 -121 dB(10 kS/s)
典型共模抑制(±10 V 档)DC 至 50 Hz:88 dB;400 Hz:86 dB;1 kHz:84 dB
零点精度(±1 V 档)±0.5 mV;双核低量程 ±0.2 mV
平衡后零点精度(±1 V 档)0.02 mV
典型噪声底(±1 V 档)-104 dB;双核 -111 dB(10 kS/s)
典型共模抑制(±1 V 档)DC 至 50 Hz:97 dB;400 Hz:96 dB;1 kHz:95 dB
零点精度(±100 mV 档)±0.1 mV;双核低量程 ±0.1 mV
平衡后零点精度(±100 mV 档)0.02 mV
典型噪声底(±100 mV 档)-95 dB;双核 -95 dB(10 kS/s)
典型共模抑制(±100 mV 档)DC 至 50 Hz:111 dB;400 Hz:110 dB;1 kHz:102 dB
零点精度(±10 mV 档)±0.1 mV;双核低量程 ±0.1 mV
平衡后零点精度(±10 mV 档)0.02 mV
典型噪声底(±10 mV 档)-75 dB;双核 -75 dB(10 kS/s)
典型共模抑制(±10 mV 档)DC 至 50 Hz:111 dB;400 Hz:110 dB;1 kHz:102 dB
增益温漂典型 10 ppm/K;最大 40 ppm/K
零点温漂典型 0.3 μV/K + 5 ppm 量程/K;最大 2 μV/K + 10 ppm 量程/K
增益线性度<0.02%
通道间相位差0.02° × fin [kHz] + 0.1°(200 kS/s)
通道串扰-120 dB(10 kHz)
时基精度典型 5 ppm;最大 20 ppm

电气参数

双核低量程(±10 V 档)±500 mV
双核低量程(±1 V 档)50 mV
双核低量程(±100 mV 档)±5 mV
双核低量程(±10 mV 档)±0.5 mV
输入耦合DC
输入阻抗10 MΩ
最大共模电压±500 V(隔离型)
过压保护In+ 对 In-:50 V 连续;200 Vpeak(10 ms)
电压量程±10 V、±1 V、±100 mV、±10 mV
激励电压0 至 15 V,16-bit DAC 可编程
预设激励电压0、1、2.5、5、10、15 V DC
激励精度±0.05% ±2 mV
激励温漂±50 ppm/K ±100 μV/K
激励负载稳定性负载 0 至 100%:<0.01%
激励电流限制45 mA
激励保护持续对地短路保护
激励噪声<150 μVrms(10 V / 350 Ω,10 kS/s)
激励线性调整率<0.005%(120 Ω 负载,电阻变化 20 Ω)
Sense 输入阻抗对 Exc:100 kΩ;对 GND:>100 MΩ
全桥与半桥最大传感器电阻5 kΩ
桥路接法全桥 / 半桥 / 四分之一桥(3 线)
桥路量程2 至 1000 mV/V,双核可编程
内部桥路补偿半桥 1 kΩ;四分之一桥 120 Ω / 350 Ω
典型桥路补偿精度0.05%;TCR 5 ppm/K
内部分流电阻100 kΩ
典型分流电阻精度0.05%;TCR 10 ppm/K
输入短接与传感器零点调节软件可选
隔离通道间、通道对主板隔离;同一通道内部输入、激励及计数器共地
隔离电压1000 V
供电范围9 至 36 V DC
整机典型功耗15 至 35 W(依放大器配置及负载)

通信与接口

通信接口USB 2.0
信号连接器8 × DSUB9
TEDS标准 TEDS;可支持相应 DSI 适配器
计数器输入无;需计数器另选 STGM+ 配置
模块间同步延时50 ns
最大同步线缆长度Master/Slave:100 m;IRIG:200 m

机械与环境

工作温度-10 至 +50 °C(标准有风扇版本)
储存温度-40 至 +85 °C
环境湿度5 至 95% RH,60 °C 下无凝露
防护等级IP20(标准有风扇版本)
外形尺寸266 × 149 × 55 mm(标准 Modular 外壳)
重量1.5 至 2 kg(Modular,随放大器组合变化)
振动与冲击试验EN 60068-2-6:2008;EN 60721-3-2:1997 Class 2M2;EN 60068-2-27:2009;MIL-STD-810D

资料下载

01

产品技术资料

用于确认量程、外形尺寸与基本性能

02

安装与使用文档

涵盖安装、接线与使用要点

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