电压量程±100 V、±10 V、±1 V、±100 mV
输入耦合DC;AC 0.15 Hz
输入阻抗(±100 V 档)IN+ 与 IN− 之间 2 MΩ
输入阻抗(±10 V / ±1 V / ±100 mV 档)IN+ 与 IN− 之间 >1 GΩ
最大共模电压(±100 V 档)±120 V
最大共模电压(±10 V / ±1 V / ±100 mV 档)±12 V
过压保护(±100 V 档)±200 V,连续
过压保护(±10 V / ±1 V / ±100 mV 档)±100 V 连续;±200 Vpeak,10 ms
内部电流分流量程20 mA、2 mA
内部电流分流电阻47 Ω
电压激励16-bit DAC 可编程;预置 1、2.5、5、10、12、15、20、24 V
电压激励精度±0.05% ±2 mV
电压激励温漂±10 ppm/K ±100 μV/K
激励负载稳定性0% 至 100% 负载,<0.01%
电压激励噪声10 V / 350 Ω:<150 μVrms @ 10 kS/s
激励线路调节20 Ω 变化:<0.005% @ 120 Ω 负载
Sense 阻抗对 Exc:100 kΩ;对 GND:>100 MΩ
电压激励限流100 mA;最大 800 mW
电压激励保护持续对地短路保护
电流激励16-bit DAC 可编程;预置 0.1、1、2、5、10、20、60 mA
电流激励精度(0.1–1 mA)±0.2% ±0.5 μA
电流激励精度(>1–20 mA)±0.15% ±2 μA
电流激励精度(>20–100 mA)±0.1% ±10 μA
典型电流激励温漂(0.1–1 mA)±5 ppm/K ±5 nA/K
典型电流激励温漂(>1–20 mA)±10 ppm/K ±10 nA/K
典型电流激励温漂(>20–100 mA)±40 ppm/K ±200 nA/K
电流激励顺从电压24 V;最大 800 mW
电流激励输出阻抗>100 MΩ
桥路连接全桥、半桥、四分之一桥(3线 / 4线);恒流四分之一桥(2线 / 4线)
桥路量程2–1000 mV/V,可编程
内部补桥半桥、四分之一桥:120 Ω 与 350 Ω
典型补桥精度0.05%;TCR 2 ppm/K
可编程桥路分流电阻100 kΩ,软件选择
典型桥路分流电阻精度0.05%;TCR 10 ppm/K
输入短路与传感器偏置调节软件选择
IEPE 激励电流16-bit DAC 可编程;预置 2、4、8、12、16、20 mA
IEPE 顺从电压24 V
IEPE 输出阻抗>100 kΩ
IEPE 传感器检测短路:<4 V;开路:>19 V
隔离通道对地、通道间隔离;CAT II 250 V(次级电路)
TEDS 支持标准 TEDS 与 DSI 适配器
供电范围9–57 V DC;主动 PoE++:48–57 V DC
外部供电功耗24 V / 57 V:激励关闭 7.1 / 8.7 W;每通道 0.8 W 激励时 14.8 / 16.5 W
PoE 供电功耗48 V / 57 V:激励关闭 8.4 / 8.9 W;每通道 0.8 W 激励时 17.8 / 18.3 W