电压量程±50 V、±10 V、±1 V、±100 mV
输入耦合DC；AC 1 Hz
输入阻抗量程 ≥ 10 V：IN+ 与 IN− 间 1 MΩ；量程 ＜ 10 V：20 MΩ
过压保护IN+ 与 IN− 间：50 V 连续，200 V 峰值（10 ms）
输入形式差分电压与桥路输入；接地和共模条件按接线说明核对
最大共模电压±50 V / ±10 V 档：±50 V；±1 V / ±100 mV 档：±5 V（信号 + 共模）
电流量程20 mA、2 mA
内部电流分流电阻50 Ω
激励电压16-bit DAC 可编程；双极 0、1、2、5、10、12 V DC；单极 0、2、5、10、15、24 V DC
激励电压精度±0.05% ±2 mV
激励电压漂移±50 ppm/K ±100 μV/K
激励负载稳定度10–90% 负载：＜ 0.01%
激励限流与功率42 mA，最大 550 mW；支持持续对地短路保护
激励电流16-bit DAC 可编程；预置 0、2、4、8、16、44 mA
激励电流精度＜ 10 mA：±0.1% ±2 μA；＞ 10 mA：±0.5% ±5 μA
桥路连接全桥、半桥、四分之一桥（3 线）
桥路量程2–1000 mV/V，可编程
内部补桥半桥与四分之一桥，120 Ω / 350 Ω
补桥精度0.05%；TCR 5 ppm/K
内部并联校准电阻100 kΩ；精度 0.05%，TCR 10 ppm/K
输入短接与零点调整软件可选
电阻测量范围50 kΩ、10 kΩ、3 kΩ、1 kΩ、100 Ω；需软件支持
温度模式条件PT100、PT200、PT500、PT1000、PT2000；启用需厂家校准与固件升级
温度模式参数−200 至 +850 °C；100 S/s 同步；3 线或 4 线接法；精度 ±0.05% 读数 ±0.2 °C
温度模式漂移典型 ±5 ppm/K；最大 ±12 ppm/K ±0.003 °C/K
TEDS 支持标准 TEDS 与 DSI 适配器
扩展信号IEPE、电荷、±200 V、热电偶、LVDT 等需对应 DSI 适配器，不属于原生输入
供电范围9–48 V DC
