电压量程±100 V、±10 V、±1 V、±100 mV
输入耦合DC；所有量程 AC 0.15 Hz
输入阻抗±100 V 档 IN+ 与 IN− 间 2 MΩ；其余量程 ＞ 1 GΩ
最大共模电压±100 V 档：±120 V；其余量程：±12 V
过压保护±100 V 档：200 V 连续；其余量程：100 V 连续或 200 V 峰值（10 ms）
内部电流量程20 mA、2 mA；内部 47 Ω 分流电阻
电流保护典型电流 ＞ 31 mA 触发，800 ms 自动重试；最大电压 33 V
激励电压16-bit DAC 可编程，预置 0、1、2.5、5、10、12、15、24 V DC
激励电压精度±0.05% ±2 mV
激励负载稳定度0–100% 负载：＜ 0.01%
激励噪声10 V / 350 Ω、10 kS/s：＜ 150 μV RMS
激励线性调整线阻变化 20 Ω、120 Ω 负载：＜ 0.005%
Sense 阻抗对 EXC：100 kΩ；对地：＞ 100 MΩ
激励限流与功率100 mA，独立 Modular 最大 800 mW；持续对地短路保护
激励电流16-bit DAC 可编程，预置 0.1、1、2、5、10、20、60、100 mA DC
激励电流精度0.1–1 mA：±0.2% ±0.5 μA；＞1–20 mA：±0.15% ±2 μA；＞20–100 mA：±0.01% ±40 μA
激励电流漂移上述三档依次典型 5 / 10 / 25 ppm/K
电流激励顺从电压24 V，最大 600 mW
电流激励输出阻抗＞ 100 MΩ
桥路连接全桥、半桥、四分之一桥（3 线或 4 线）；恒流四分之一桥（2 线或 4 线）
桥路量程2–1000 mV/V，可编程
内部补桥半桥 / 四分之一桥，120 Ω / 350 Ω；典型精度 0.05%，TCR 2 ppm/K
内部并联校准电阻100 kΩ 软件可选；典型精度 0.05%，TCR 10 ppm/K
输入短接与零点调整软件可选
IEPE 激励2、4、8、12、16、20 mA，16-bit DAC 可编程
IEPE 顺从电压25 V；输出阻抗 ＞ 100 kΩ
IEPE 传感器检测短路：＜ 4 V；开路：＞ 19 V
RTD 与电阻原生支持 RTD、电阻、电位计；接法和量程按对应传感器及接线说明核对
扩展信号电荷、热电偶等需对应 DSI 适配器，不能与原生 IEPE / RTD 混同
TEDS 支持标准 TEDS 与 DSI 适配器
功耗（Modular）40 kS/s 仅模拟输入、EXC 0 V：典型 7.25 W / 最大 8.9 W；每通道激励 0.8 W：典型 21.7 W / 最大 23.5 W；5 V / 120 Ω 每通道：典型 12.9 W / 最大 15.7 W
供电范围9–48 V DC
